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硒化鎵晶體 GaSe晶體 太赫茲晶體

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

GaSe硒化鎵是***種暗棕色閃光的片狀晶體。相對(duì)密度5.03，熔點(diǎn)(960±10)℃。GaSe和GaS***樣是層狀結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體，隨著溫度的降低，GaSe光電效應(yīng)***大值向短波方向移動(dòng)。硒化鎵作為***種非線性晶體和光電導(dǎo)體，通常被應(yīng)用于這些方面：于CO2激光器的二次諧波的產(chǎn)生，CO2激光器頻率上轉(zhuǎn)換至近紅外或可見光，中紅外波段的光學(xué)混頻，以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產(chǎn)生。同時(shí)GaSe晶體也可以被用來產(chǎn)生太赫茲輻射。

GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體，擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y(cè)使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測(cè)系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對(duì)GaSe晶體厚度的選取，我們可以實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對(duì)該晶體使用的***個(gè)很大限制在于質(zhì)軟，易碎。