Ion Beam Assisted Deposition (離子輔助沉積)
離子輔助沉積已經成為在無規取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結構薄膜的***種重要技術
高性能的IBAD(離子輔助沉積)系統
離子輔助沉積已經成為在無規取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結構薄膜的***種重要技術。Neocera開發了離子輔助的PLD系統，該系統將PLD在沉積復雜材料方面的優勢與IBAD能力結合在***起。得到無人倫比的技術專***知識的支持Neocera離子輔助的PLD系統會得到重要應用經驗的支持。系統開發結合了Neocera的工程和工藝經驗，保證了***大的用途和工藝性能。
利用離子輔助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria穩定的YSZ基片上，開發了具有下列性能的雙軸結構的YBCO薄膜：
l X-ray F-scan full width at half maximum of ~7°
l 轉變溫度Tc在88-89K，轉變寬度DTc約為約為0.5 K
l 77 K零場強時，臨界電流密度Jc范圍; 1.5—2x106 A/cm2
l 77 K時，磁深入深度l: 284nm
l 77 K，10G時，表面電阻Rs等于700mW
Continuous Composition Spread (連續組成擴展)
***種基于脈沖激光沉積的、組合材料合成的新型連續組成擴展(CCS)方法。
經濟的組合合成
組合合成是材料科學中***激動人心的***新進展。在***次鍍膜實驗中，生產多種不同材料組成的能力，大大的提高了獲得具有期望材料性能的***佳組成的速度。然而，現有組合合成系統的高成本對絕大多數研究預算來說都是不切合實際的。
得到Neocera PLD經驗的支持
Neoceora已經應用我們豐富的PLD和開發性能可靠的經濟型設備的經驗，發明了PLD-CCS(脈沖激光沉積-連續組成擴展)系統。PLD-CCS受益于多層薄膜沉積的方便性和PLD工藝能在基片上改變二元，假二元，或三元體系的組成這***固有特性。
常規沉積條件下的組合合成
PLD-CCS能以連續的方式，而不是間隔的方式改變材料，沒有必要使用掩模。這就允許在每***次循環中，以小于***個單分子層的速率，快速連續沉積每***種組份，其結果是基本等同于共沉積法。事實上，該法無需在沉積后進行退火促進內部擴散或結晶，對于生長溫度是關鍵參數的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。
Laser MBE (激光分子束外延)
***種納米尺度薄膜合成的理想方法，PLD和原位高壓RHEED的結合，
為單分子水平上的薄膜生長提供了精確控制。
使用激光MBE是納米技術研究的理想工具
激光MBE是普遍采用的術語，定義了高真空下的PLD與在線工藝監測的反射高能電子衍射（RHEED）的聯合應用。該法為用戶提供了類似于MBE的薄膜生長的單分子水平控制。隨著更多的PLD研究受到納米技術的驅動，激光MBE變得對用戶更加有益。
正確的設計是成功使用RHEED和PLD的重要因數
RHEED通常在高真空（<10-6 torr）環境下使用。然而，因為在某些特殊情況下，PLD采用較高的壓力，差動抽氣是必要的，維持RHEED槍的工作壓力，同時保持500 mTorr的PLD工藝壓力。同時，設計完整的系統消除磁場對電子束的影響是至關重要的。
Neocera的激光MBE系統為用戶在壓力達到500mTorr時所需的單分子層控制。
滬公網安備31011502016460號
