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FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備
如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話，可以給我留言！
產(chǎn)品名稱：FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備
產(chǎn)品型號(hào)：FSM 128， 500TC, 900TC
1. 簡(jiǎn)單介紹
FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備:美***Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來(lái)為半導(dǎo)體行業(yè)等行業(yè)提供各式精密的測(cè)量設(shè)備，客戶遍布全世界, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測(cè)量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測(cè)量設(shè)備、 紅外干涉厚度測(cè)量設(shè)備、電學(xué)測(cè)量設(shè)備:高溫四探針測(cè)量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測(cè)量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)
2. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
FSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備
在襯底鍍上不同的薄膜后, 因?yàn)閮烧卟馁|(zhì)不***樣，以及不同的材料不同溫度下特性不***樣, 所以會(huì)引起應(yīng)力。 如應(yīng)力太大會(huì)引起薄膜脫落, zui終引致組件失效或可靠性不佳的問(wèn)題。 薄膜應(yīng)力激光測(cè)量?jī)x利用激光測(cè)量樣本的形貌,透過(guò)比較鍍膜前后襯底曲率半徑的變化, 以Stoney’s Equation計(jì)算出應(yīng)力, 是品檢及改進(jìn)工藝的有效手段。
1) 快速、非接觸式測(cè)量
2) 128型號(hào)適用于3至8寸晶圓
128L型號(hào)適用于12寸晶圓
128G 型號(hào)適用于470 X 370mm樣品，
另可按要求訂做不同尺寸的樣品臺(tái)
3) 雙激光自動(dòng)轉(zhuǎn)換技術(shù)
如某***波長(zhǎng)激光在樣本反射度不足，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)使用
另***波長(zhǎng)激光進(jìn)行掃瞄，滿足不同材料的應(yīng)用
4) 全自動(dòng)平臺(tái)，可以進(jìn)行2D及3D掃瞄（可選)
5) 可加入更多功能滿足研發(fā)的需求
電介質(zhì)厚度測(cè)量
光致發(fā)光激振光譜分析
（III-V族的缺陷研究）
6) 500 及 900°C高溫型號(hào)可選
7) 樣品上有圖案亦適用
3. 規(guī)格:
1) 測(cè)量方式: 非接觸式(激光掃瞄)
2) 樣本尺寸:
FSM 128NT: 75 mm to 200 mm
FSM 128L: 150 mm/ 200 mm/ 300mm
FSM 128G: zui大550×650 mm
3) 掃瞄方式: 高精度單次掃瞄、2D/ 3D掃瞄(可選)
4) 激光強(qiáng)度: 根據(jù)樣本反射度自動(dòng)調(diào)節(jié)
5) 激光波長(zhǎng): 650nm及780nm自動(dòng)切換(其它波長(zhǎng)可選)
6) 薄膜應(yīng)力范圍: 1 MPa — 4 GPa
(硅片翹曲或彎曲度變化大于1 micron)
7) 重復(fù)性: 1% (1 sigma)*
8) 準(zhǔn)確度: ≤ 2.5%
使用20米半徑球面鏡
9) 設(shè)備尺寸及重量:
FSM 128: 14″(W)×22″(L)×15″(H)/ 50 lbs
FSM128L:14″(W)×26″(L)×15″/ 70 lbs
FSM128G:37″(W)×48″(D)×19″(H)/ 200 lbs
電源 : 110V/220V, 20A
FSM413 紅外干涉測(cè)量設(shè)備
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產(chǎn)品名稱：FSM 413 紅外干涉測(cè)量設(shè)備
產(chǎn)品型號(hào)：FSM 413EC, FSM 413MOT，F(xiàn)SM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C
1. 簡(jiǎn)單介紹
FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備:美***Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來(lái)為半導(dǎo)體行業(yè)等行業(yè)提供各式精密的測(cè)量設(shè)備，客戶遍布全世界, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測(cè)量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測(cè)量設(shè)備、 紅外干涉厚度測(cè)量設(shè)備、電學(xué)測(cè)量設(shè)備:高溫四探針測(cè)量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測(cè)量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)
2. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
FSM 413 紅外干涉測(cè)量設(shè)備
1) 紅外干涉測(cè)量技術(shù), 非接觸式測(cè)量
2) 適用于所有可讓紅外線通過(guò)的材料
硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…
3. 應(yīng)用:
襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)
平整度
厚度變化 (TTV)
溝槽深度
過(guò)孔尺寸、深度、側(cè)壁角度
粗糙度
薄膜厚度
環(huán)氧樹脂厚度
襯底翹曲度
晶圓凸點(diǎn)高度(bump height)
MEMS 薄膜測(cè)量
TSV 深度、側(cè)壁角度…
4. 規(guī)格:
1) 測(cè)量方式: 紅外干涉(非接觸式)
2) 樣本尺寸: 50、75、100、200、300 mm， 也可以訂做客戶需要的產(chǎn)品尺寸
3) 測(cè)量厚度: 15 — 780 μm (單探頭)
3 mm (雙探頭總厚度測(cè)量)
4) 掃瞄方式: 半自動(dòng)及全自動(dòng)型號(hào),
另2D/3D掃瞄(Mapping)可選
5) 襯底厚度測(cè)量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差。。。
6) 粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)
7) 重復(fù)性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭*
0.8 μm (1 sigma)雙探頭*
8) 分辨率: 10 nm
9) 設(shè)備尺寸:
413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H)
413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H)
10) 重量: 500 lbs
11) 電源 : 110V/220VAC
12) 真空: 100 mm Hg
13) 樣本表面光滑（***般粗糙度小于0.1μm RMS)
150μm厚硅片（沒圖案、雙面拋光并沒有摻雜）
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